Vishay推出了新型200V N沟道MOSFET，其RDS（ON）导通VSport达到业界最低水平，从而提高了系统功率密度并节省了能源

宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州，2020年9月23日，几天前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布推出新型200V n沟道MOSFET-SiSS94DN。

该设备使用耐热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK＆reg;放大器。

1212-8S封装。

V条件下的典型导通VSport为61mΩ，是业界最低的。

同时，导通VSport和栅极电荷的改进乘积为854mΩ* nC，这是MOSFET开关应用的重要品质因数（FOM）。

节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN专门用于提高功率密度，其占位面积比采用6mm x 5mm封装的具有类似导通VSport的设备的占位空间小65％。

TrenchFET＆amp; reg;日前发布的第四代功率MOSFET的典型导通VSport比市场上排名第二的产品低20％，其FOM比上一代解决方案低17％。

这些指示器减少了传导和开关损耗，从而节省了能源。

紧凑而灵活的器件便于设计人员更换具有相同传导损耗但体积较大以节省PCB空间的MOSFET，或具有相似尺寸但传导损耗较高的MOSFET。

SiSS94DN适用于隔离式DC / DC拓扑主开关和同步整流，包括通信设备，计算机外围设备，消费类电子产品；笔记本电脑，LED电视，车辆和船舶的LED背光源；和用于GPS，工厂自动化和工业应用的电机驱动控制，负载切换和功率转换。

该设备已通过100％RG和UIS测试，符合RoHS要求且不含卤素。

SiSS94DN现在可以提供样品，并已实现批量生产，交货时间为12周。

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